|
耗盡型MOSFET |
|
成都方舟微電子專注于耗盡型MOSFET的研發,所開發的產品以高性能和高可靠性著稱。由于采用了具有完全自主知識產權的技術,在高閾值電壓以及超高閾值電壓產品研發中,走在了行業最前沿。 |
型號 |
擊穿電壓(V) |
額定電流(A) |
閾值電壓(V) |
|
封裝形式 |
備注 |
資料下載 |
DMS4022 |
400 |
0.2 |
-1.5~-3.3 |
12 |
25 |
SOT-223 |
無鹵,ESD增強型 |
 |
DMX4022 |
400 |
0.2 |
-1.5~-3.3 |
12 |
25 |
SOT-89 |
無鹵,ESD增強型 |
 |
DMS1072 |
100 |
0.4 |
-1.5~-3.3 |
-- |
3.0 |
SOT-223 |
無鹵,ESD增強型 |
 |
DMX1072 |
100 |
0.4 |
-1.5~-3.3 |
-- |
3.0 |
SOT-89 |
無鹵,ESD增強型 |
 |
DMZ6005E |
600 |
0.02 |
-1.5~-3.3 |
500 |
700 |
SOT-23-6R |
無鹵,ESD增強型 |
 |
DMZ6012E |
600 |
0.1 |
-1.5~-3.3 |
110 |
120 |
SOT-23-6R |
無鹵,ESD增強型 |
 |
DMU4523D |
450 |
2 |
-1.2~-2.4 |
1.8 |
2.2 |
TO-251 |
無鉛 |
 |
DMD4523D |
450 |
2 |
-1.2~-2.4 |
1.8 |
2.2 |
TO-252 |
無鉛 |
 |
DMA4523D |
450 |
2 |
-1.2~-2.4 |
1.8 |
2.2 |
TO-220F |
無鉛 |
 |
DMZ1521E |
150 |
0.2 |
-5~-7 |
10 |
15 |
SOT-23 |
無鹵,ESD增強型 |
 |
DMZ1511E |
150 |
0.1 |
-1.5~-3.3 |
10 |
25 |
SOT-23 |
無鹵,ESD增強型 |
 |
DMZ0615E |
70 |
0.1 |
-13~-20 |
10 |
15 |
SOT-23 |
無鹵,ESD增強型 |
 |
DMX0615E |
70 |
0.1 |
-13~-20 |
10 |
15 |
SOT-89 |
無鹵,ESD增強型 |
 |
DMZ0622E |
70 |
0.1 |
-19~-25 |
10 |
15 |
SOT-23 |
無鹵,ESD增強型 |
 |
DMX0622E |
70 |
0.1 |
-19~-25 |
10 |
15 |
SOT-89 |
無鹵,ESD增強型 |
 |
DMX1015E |
100 |
0.1 |
-27 |
10 |
30 |
SOT-89 |
無鹵,ESD增強型 |
 |
DMX2023 |
200 |
2 |
-1.5~-3.3 |
1.3 |
2 |
SOT-89 |
無鹵 |
暫無 |
|
共1頁 頁次:1/1頁 首頁上一頁1 下一頁尾頁 |